收藏本站
ATP204
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS= 30 V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
30
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID= 50 A
1.2
100
2.6
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID= 50 A, VGS=10V
ID= 25 A, VGS=4.5V
VDS=10V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=15V, VGS=10V, ID=100A
IS=100A, VGS=0V
4.3
6.5
4600
700
390
40
690
205
110
70
22
9.2
1.03
5.6
9.1
1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
10V
0V
VIN
VIN
VDD=15V
ID=50A
RL=0.3 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
D
VOUT
G
ATP204
P.G
50 Ω
S
Ordering Information
Device
ATP204-TL-H
Package
ATPAK
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1551-2/7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
ATP206-TL-H MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK
ATP207-TL-H MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK
ATP208-TL-H MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
ATP212-TL-H MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
ATP213-TL-H MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK
ATP214-TL-H MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK
ATP216-TL-H MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
ATP218-TL-H MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK
相关代理商/技术参数
ATP206 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP206_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP206-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
ATP207 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
ATP207_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ATP207-S-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:上次购买时间 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片） 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000
ATP207-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ATP208 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications